德州儀器公司12日宣布，已開發出45奈米晶片製程技術，可提高生產速度並減少用電。 另外，被喻為「萬用記憶體」、兼具快閃記憶體與隨機存取記憶體優點的相變化記憶體（PCM）技術也有進展，英特爾公司與意法半導體公司也將宣布，已開發出生產PCM零件的90奈米製程技術。 德儀表示，新的45奈米晶片製程技術可提高生產速度30%，並降低產品耗電40%。新製程還能讓無線用戶同時開多個應用軟體，例如一邊玩立體影像的遊戲，一邊進行視訊會議，或收電子郵件。 手機結合通訊與娛樂功能，使省電技術的需求大增。微形化技術是藉縮小電荷行進的距離來提升晶片生產速度。德儀說，已開發出全球最小的45奈米靜態隨機存取記憶體（SRAM）記憶體細胞，僅0.24平方微米，比目前已知所有45微米記憶體細胞裝置都要小30%以上，明年可生產出樣品，2008年中可投產。 另外，據EETimes 12日報導，英特爾與意法半導體公司本周將在夏威夷舉行的超大規模積體電路（VLSI）科技研討會上，發表共同開發的相變化記憶體（PCM）製造技術。 相變化記憶體是標準矽晶片技術與可重複讀寫光碟材料的組合，因此兼具快閃記憶體的長時間記憶與標準DRAM的高速雙重特性。 據該論文的摘要，這種新記憶體具高可靠性、優良效能與小體積等優點。兩家公司正合作進行PCM的零件標準化作業。 容量數十億位元的PCM要在2008年以後才能夠達到量產，最快明年可生產出樣品，將採用45奈米或32奈米製程技術。之前意法曾表示去年可開始生產樣品，英特爾也曾說將採用22奈米製程技術。 包括IBM、三星、NEC及BAE系統公司等都正積極研發PCM。PCM原始技術授權來源Ovonyx公司宣稱，PCM的壽命長達10兆次運算，快閃記憶體只有10萬次。