英特爾65奈米技術明年上線
2004/09/01
英特爾發表65奈米製程開發成果,65奈米半導體技術明年正式上線,成為多核心處理器平台的基礎。 英特爾主管表示,英特爾65奈米半導體元件是在英特爾位於奧勒崗州Hillsboro市的12吋研發晶圓廠 (名為D1D)生產,65奈米的新製程技術也是在該座晶圓廠研發。 英特爾主管表示,已運用65奈米製程技術生產靜態隨機存取記憶體 (SRAM),內含超過5億個電晶體,延續英特爾每兩年開發新製程技術的慣例,符合摩爾定律。 新製程可在晶片中嵌入更多的電晶體,奠定英特爾在推出多核心處理器的基礎,並在新產品加入新功能。 英特爾資深副總裁暨技術與製造事業群總經理周尚林表示,英特爾針對新材料、製程以及元件架構進行創新研發,藉此克服縮小尺吋 (scaling)所帶來的各項挑戰,英特爾的65奈米技術將在2005年上線。
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