南韓三星電子公司11日表示，第三季的晶片部門營收可望寫下空前紀錄，並樂觀預測全球半導體產業今年將蓬勃成長。三星也發表新一代512百萬位元（Mb）的相變式隨機存取記憶體（PRAM），和採用40奈米製程的32Gb（十億位元）NAND快閃記憶體。 三星電子半導體部門總裁兼執行長黃昌圭說：「受惠於動態隨機存取記憶體市場（DRAM）的強勁需求，我們第三季營收可望激增。」但他未提供具體數字。 三星第二季晶片部門的營業利益為9,800億韓元（10億美元），營收達4.4兆韓元。該部門營收最高紀錄是去年第四季創下的5.09兆韓元。 三星是全球最大DRAM及NAND快閃記憶體製造商，今年來NAND價格大跌影響三星的營收。黃昌圭說：「NAND跌價的部分原因是，市場未推出更多使用NAND記憶體的新產品，不過下半年多家公司計畫推出使用NAND的新產品，NAND價格已開始回穩。」 黃昌圭估計，今年全球NAND市場將比去年大增22%，達135億美元。他說：「隨著NAND快閃記憶體需求大幅增加，我預期價格還會再漲。」 他也預測，近來DRAM價格的上漲可望延續至下半年，甚至明年，「三星只能能應付七成的DRAM訂單，下半年這個缺口應會持續，直至明年底」。 另外，三星預測PRAM十年後將取代NOR快閃記憶體。PRAM是一種新的非揮發性（non-volitale）記憶技術，利用某些材料在特定電流脈波下的相變化效應產生記憶功能。由於其最終狀態不會隨外加能量消失而改變，因此具有非揮發的特性，和快閃記憶體一樣，可在切斷電源後保存資料，但PRAM 的速度是快閃記憶體的30倍。 三星在記者會上展示最新開發的512Mb原型PRAM，預計2008年問世。目前已量產的非揮發性記憶技術只有快閃記憶體，快閃記憶體又分為NOR快閃記憶體跟NAND快閃記憶體兩種。前者適用於跑軟體，但速度較慢也比較貴；後者適用於大量儲存。 此外，三星也展示新開發32Gb容量的NAND快閃記憶體，採用40奈米製程技術製造。目前三星的快閃記憶體主要採用70奈米製程技術。