英特爾昨(13)日宣布，研發出全球最小、面積僅1平方微米的靜態隨機存取記憶體 (SRAM)記憶體電路元。電路元是記憶體晶片的建構基礎，採用英特爾0.09微米(90奈米)製程技術。英特爾主管表示，0.09微米製程投片量逐漸增加。 英特爾日前發表第一批0.13微米製程的12吋晶圓成功量產，並開始出貨，這批產品來自奧瑞崗州的Fab D1C，正朝向0.09微米製程邁進，0.09微米將是英特爾晶片製造跨入奈米製程 (100nm以下) 的第一步。 英特爾資深副總裁暨技術與製造事業群總經理周尚林 (SunlinChou)表示，英特爾的1平方微米SRAM電路元為晶片技術，在業界創下新的密度指標，這項技術讓英特爾領先將90奈米製程技術應用在微處理器與其它產品上。 透過新推出的90奈米製程技術，英特爾可望保持每隔二年推出新世代製程的紀錄，英特爾將採用這項製程技術生產包括處理器、晶片組、以及通訊等產品。英特爾計劃，直接在12吋晶圓廠轉入0.09微米製程，不先行在8吋晶圓廠練兵。 英特爾主管表示，研發人員製造出52 megabit靜態隨機存取記憶體晶片(能儲存5,200萬位元的資訊)，能在小於一角美元硬幣(約台幣一元硬幣)的109平方微米空間中容納3億3,000萬組電晶體，這是有史以來容量最大的SRAM晶片。 英特爾運用先進的193奈米與248奈米電路印刷工具，於位在奧勒崗州Hillsboro市的12吋晶圓廠(D1C)生產這些半導體裝置。