台灣旺宏電子等三家公司組成的研究團隊，在相變化記憶體 (Phase Change Memory）技術研發上獲重大進展，預料這種新型記憶體將會取代目前大量使用的記憶體晶片，甚至成為磁碟機的對手。 由旺宏、IBM與奇夢達（Qimonda）等公司組成的研究團隊，訂11日公布相變化記憶體技術的研發成果，他們用新材料發明的相變化記憶體原型，比快閃記憶體快500倍，但耗電量卻只要一半。 快閃記憶體不需充電就可以儲存資料，不過外閃記憶體的成本太高及重覆寫入次數有限，始終難以取代磁碟機。 相變化記憶體就沒有這些問題，意味著相變化記憶體的使用範圍將比快閃記憶體更廣，除了可以提供不同方式儲存資料，取代目前用在數位相機、MP3或手機儲存資料的快閃記憶體，還可能和磁碟機一較高下。IBM奈米科技資深經理納拉洋說：「未來我們也希望把目標設定為磁碟機。」 英特爾公司最近成立相變化記憶體部門，不過該部門行銷經理甲本表示，他無法預測相變化記憶體上市時間，但英特爾目標就是成為第一個大量商業化生產相變化記憶體的公司。