1Gb以下快閃記憶體 (Flash)供過於求，市場進入價格戰，力成 (6239)計畫於明年初主動調降部分測試價格，預料京元電 (2449)、泰林 (5466)等測試廠也將跟進。 力成董事長蔡篤恭指出，1Gb以下快閃記憶體明年將成殺戮戰場，後段封測廠商將承受部分降低成本壓力。他說，力成明年有許多機台的設備折舊都將到期，力成已研擬降價計畫，會將成本降低的成果回饋給客戶，幫助客戶提高競爭力。 測試設備廠商也表示，快閃記憶體目前尚不需用到高速的5593測試機台，包括京元電、泰林等，手上都有許多測試機台的折舊攤提陸續到期，有能力承受價格的下跌。 蔡篤恭表示，力成快閃記憶體封裝月產能為1,350萬顆，東芝占去1,000萬顆月產能，其餘的產能以供應瑞薩為主。他說，明年512M的快閃記憶體將會有很多新產能開出，勢必將造成價格下跌，封測廠商也必須配合吸收部份跌價壓力。 根據市調機構iSuppli預測，儲存型 (NAND)快閃記憶體到2007年的年複合成長約為33%，但由於新廠商的加入，估計每年有40%的跌價壓力，目前快閃記憶體的前四大是三星、東芝、新帝(Sandisk)與瑞薩。 蔡篤恭指出，包括海力士、義法與英飛凌，近期都將量產512M快閃記憶體，明年的價格一定會「殺的很兇」。他說，這是讓過去不健康的高毛利狀況回到正常，但後段封測廠商必須配合吸收一部分的成本壓力。 蔡篤恭分析，市場原先預期第三季動態隨機存取記憶體 (DRAM)廠可以順利升級到0.11微米製程，但廠商的製程提升並不順利，而原先預期的DDRⅡ也慢了一步，讓廠商第三季擴產速度放緩。他說，第四季的需求會相當旺，屆時DRAM測試產能將會不足。