力成董事長蔡篤恭日前指出，快閃記憶體明年將成殺戮戰場，後段封測廠商也將承受降價壓力。他說，力成明年有許多機台的設備折舊到期，力成已研擬出降價計畫，會回饋給客戶，幫助客戶提高競爭力。 蔡篤恭表示，力成目前快閃記憶體封裝月產能為1,350萬顆，其中東芝占1,000萬顆，其餘的產能以供應瑞薩為主。他說，明年512M的低容量快閃記憶體，將有很多新產能開出，勢必造成價格下跌，封測廠商必須配合吸收部份跌價壓力。 相較於快閃記憶體，動態隨機存取記憶體（DRAM）測試產能則是供不應求。預計今年12月產能缺口相當大，且日本瑞薩近期將釋出封測訂單達三成，包括力成、京元電、泰林等廠商都將受惠，進一步推升平均接單價格（DRAM）。 蔡篤恭表示，儲存型（NAND）快閃記憶體到2007年的年複合成長約為33%，由於有新廠商加入，估計每年有40%的跌價壓力。他說，目前快閃記憶體的前四大是三星、東芝、新帝（Sandisk）與瑞薩，其中東芝與瑞薩都是力成的客戶。 蔡篤恭指出，包括海力士、義法與英飛凌，近期都將量產512M快閃記憶體，明年價格一定會「殺的很兇」。他說，這是讓過去不健康的高毛利狀況回到正常，但後段封測廠商必須配合吸收部分成本壓力。 蔡篤恭分析，市場原先預期第三季DRAM廠可以順利升級到0.11微米製程，但廠商的製程提升並不順利，而原先預期的DDRⅡ也慢了一步，讓廠商第三季擴產速度放緩。他說，目前看來，第四季的需求會相當旺，屆時DRAM測試產能將會不足。