上海中芯、南科（2408）、華邦電（2344）及茂德（5387）近期12吋及0.11微米新產能開始，紛紛投入現貨DRAM市場，力晶（5346）推出「有效 (ett)」及「未測(utt) 」DRAM雙主軸產品策略應對，惟本月開始現貨市場增產10% ，外資券商預測，256M DDR現貨價低點將達2.5美元。 上海中芯國際執行長張汝京昨天證實，中芯北京12吋晶圓廠0.11 微米產能良率急拉，DDR陸續獲得英飛凌及爾必達認證，未來12 吋廠將大舉擴產DRAM產能。 據了解，中芯目前12吋廠月產4,000片DRAM，明年上半年將擴增到1.5萬片，進度約落後華亞科技半年，新增產能除回銷英飛凌、爾必達外，近期也開始在大陸地區出售utt現貨DRAM，造成市場供給大增。 除中芯12吋廠外，南科及華邦電也陸續以8吋廠0.11、0.13微米投產DRAM，銷往現貨市場。其中華邦電12吋廠明年第三季裝機，也將推展utt市場業務。 模組業者表示，力晶為了建立現貨市場區隔，近期採取utt及ett 雙主流DRAM銷貨策略，並於本周提前盤點，藉以穩住價格。不過，下周開始力晶將恢復供貨，加上市場年報清庫存效應，12月下旬DRAM現貨價將明顯回跌。 茂德科技昨天公布11月營收達35.86億元，比10月減少5.6%，與去年同期相較，成長40.37%，前11月營收396.12億元，與去年同期相較，成長77.36%。 茂德科技發言人林育中指出，11月份合約價維持與10月持平水準，不過現貨價較上月下滑，加上匯損影響，11月營收表現無法超越10月。茂德合約客戶提升到出貨比重的75%，單月仍維持穩定的獲利水平。 林育中表示，12月份合約價目前無大幅度的變動，再加上0.12微米製程大量投片，產出預期會有較大增幅，因此對12月營運狀況樂觀。 DRAM現貨報價近日止跌，昨 (9)日持續上揚0.78%。不過，大陸及南韓現貨市場報價已經走弱。 摩根、高盛等券商展望，明年DRAM景氣走入下坡階段，其中12吋廠產能陸續開出後，今年第四季進入景氣下降期，預估2005年供過於求的幅度約8%至10%，256M DDR均價可望跌破3美元。