DRAM現貨價 下周恐下探3美元
2004/12/03
南科 (2408)、華邦 (2344)及上海中芯跨入DRAM現貨市場,力晶 (5346)首度推出價格保護措施,替客戶吸收短期跌價損失,鼓勵通路商擴大銷貨。此舉加速跌勢,昨 (2)日跌幅3.7%,創半年來最大跌幅。 根據通路商訊息,12月PC、NB及消費性終端產品上架,DRAM市場需求急凍,力晶為擴大銷貨管道並激勵客戶採購,下周將採行「價格保護」方案,在一定期限內,吸收客戶蒙受的跌價損失。 力晶高階主管表示,這些都是力晶的商業機密,不方便對外公布。力晶並不否認有相關的客戶優惠措施。 華邦電、南科近期跨入有效測試 (ett)DRAM及次品牌現貨市場,華邦電提撥0.13微米製程投產,明年底不排除以12吋廠新產能投片,大幅增加DRAM現貨供給,將衝擊力晶在現貨市場的版圖。 中芯國際位於北京12吋晶圓廠,已經順利投產4,000片DRAM產品,預計明年上半年月產能將提升到1.5萬片,大幅增加DRAM市場的供給。 根據集邦科技報價,256M DDR400昨天跌幅高達3.7%,低價來到3.7美元。ett DRAM報價則達到3.3美元,下周不排除下探3美元支撐。有效測試(ett)DRAM是現貨市場的主要產品,供應商以力晶為主,由於晶片後段測試,從0.4美元降至0.1美元,存在約5%的價差空間,成為模組、通路商的採購焦點,約占全球DRAM市場10%。 茂德(5387)發言人林育中表示,第四季以來後段測試產能吃緊,加上國際大廠0.11微米及12吋新產能陸續開出,因為缺乏合約客戶認證,會導致現貨DRAM供應大增。 DRAM業者指出,現階段DRAM市場呈現兩極化,合約客戶需求強勁,但獲得認證的DRAM有限,導致供不應求;現貨市場則因為新產能供貨增加,加上國際大廠紛紛跨入,價格出現鬆動跡象。
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