國內外記憶體廠3月進入歲休旺季，動態隨機存取記憶體（DRAM）及快閃記憶體（Flash）產出減少一至兩成，將減緩記憶體價格跌勢。業者表示，256M DDR現貨價短線將出現反彈，並站穩3美元關卡。 力晶（5346）發言人譚仲民表示，2月下旬現貨價大幅下滑15%至20%，主要是上月工作天數少，記憶體廠商為了拉高業績出貨，因此擴大價格競爭，預計3月上旬價格就會回穩。 除此之外，力晶及茂德（5387）晶圓廠3月將進行歲休，為期一周左右，韓系及歐系廠商也排定相關計畫，預計市場供貨將會降低，減少淡季效應的衝擊。 根據統計，DRAM現貨價2月中旬以來暴跌20%，256M有效測試(eTT)DDR一度跌至2.65美元，不過在原廠不願低賣的情況下，本月將出現回升，預計可以拉回3美元以上。 業者指出，海力士、英飛凌、力晶0.11微米新產能大量開出，2月以來全球DRAM產能供給將大增15%到20%，惟市場需求疲弱，合約及現貨價本月已下挫10%到15%，eTT現貨價更一舉跌破3美元。展望未來，3月因為歲休因素，價格可望回升，4月則再度碰上淡季影響，報價可能明顯回跌修正。