華邦電（2344）、南科（2408）近期跨入有效測試（ett）DRAM及次品牌現貨市場，華邦電提撥0.13微米製程投產，國際記憶體大廠也因後段測試產能缺口擴大，年底大幅增加DRAM現貨供給，將衝擊力晶（5346）在現貨市場的版圖。 華邦電發言人溫萬壽昨（4）日表示，8吋廠近期全數轉入0.13微米以下製程，推出現貨DRAM產品，供應給模組客戶，預計明年上半年也會陸續以0.13微米，投產1T SRAM及SDRAM產品。 有效測試（ett）DRAM是現貨市場的主要產品，供應商以力晶為主，由於晶片後段測試，從0.4美元降至0.1美元，存在約5%的價差空間，成為模組、通路商的採購焦點，約占全球DRAM市場15%的規模。 茂德（5387）發言人林育中表示，第四季以來後段測試產能吃緊，國際大廠0.11微米及12吋新產能陸續開出，因為缺乏合約客戶認證，會導致現貨DRAM供應大增。對此，茂德將提高合約DRAM供貨，比重可望提升到75%，避開現貨市場的價格競爭。 SDRAM市場有出現供過於求現象，主要是海力士（Hynix）舊有8吋廠投入SDRAM生產，加上三星、爾必達新產能也以SDRAM作為先期投產的產品，導致近兩周跌幅高達20%，衝擊晶豪科（3006）、鈺創（5351）毛利空間。 南科轉投資華亞12吋廠近期大量產出，預計12月單月產出將達2.4萬片12吋DRAM，因此部分尚未經過OEM客戶認證的0.11微米產品，將銷往現貨市場。 DRAM業者指出，現階段DRAM市場呈現兩極化，合約客戶需求強勁，但獲得認證的DRAM有限，導致供不應求；現貨市場則因為新產能供貨增加，加上國際大廠紛紛跨入，價格出現鬆動跡象。