台積電新添購的193波長曝光設備，帶領台積電朝45奈米科技挺進，這套堪稱全球最尖端設備之所以引人矚目，在於不同以往「乾式」製程，而採「濕式」機台。 過去乾式曝光顯影是在無塵室中，以空氣為媒介進行，光透過光罩在空白晶圓上面顯影；而浸潤式微影則是利用水為透鏡，在晶圓與光源之間加入一層純水。 90奈米之後，晶片電路線寬愈來愈細，線路間容易干擾，因此刻蝕技術要求愈來愈精密，使用設備、材料也愈來愈關鍵。193波長光束透過「水」為中介，相當神奇的可縮短波長，刻出更精密的晶片。 這項由台積電獨家開發出利用「水」為媒介的浸潤式顯影技術，可將晶圓製造技術推進到65奈米、45奈米甚至32奈米，若以每個世代晶圓製造約三年計算，這項技術延續了半導體業生命足足有10年之久。 在台積電2002年提出「濕式」機台理論前，當時設備商已投入數十億美元開發乾式機台，直到2003年12月國際半導體技術藍圖（ITRS）才正式將浸潤式微影技術，納入討論。 2004年年底，台積電與荷蘭設備商ASML共同開發的第一台193波長浸潤式微影機台，順利產出第一批90奈米晶片，讓業界對台積電獨門開發的技術，刮目相看。知名半導體微影設備廠商佳能及尼康已宣布，今年將推出浸潤式微影機台，顯示濕式機台將成高階半導體晶片製造的主流。 不過，浸潤式機台仍存在許多技術難度，例如水與製程中的光阻劑產生反應，及水中的氣泡，都會使晶圓曝光過程，產生許多瑕疵，可能損及晶圓片上的成像，這都是浸潤式微影所要克服的技術瓶頸。