全球半導體技術聯盟（InterSematech）近期發現，157 奈米及新世代微影設備 (EUV) 出現物性技術瓶頸，將延後半導體廠商進入 0.07 微米製程世代的時程。 國內晶圓廠認為，至目前最先進的 0.09 微米世代製程，仍沿用193 奈米微影設備，預計量產時間會在 2004 年，而 157 奈米世代微米設備最外要到 2005 年才會試產，屆時相關物性瓶頸，可能已經突破。 全球半導體技術聯盟執行長漢姆斯 (Robert Helms) 表示， IC業者為維持競爭力，必須不斷提高製程技術及設備，但根據研究，157 奈米微影設備已碰上技術瓶頸，這對積極進入新世代技術的半導體廠而言，可能出現延滯效應。 法國微影設備技術研發機構 Preuve 日前宣布，將與荷蘭、德國等歐洲設備廠商，如 ASML、Carl Zeiss Sagem 與 Xenocs，共同成立名為 Extatic 研究團體，合作開發超紫外線 (EUV) 等新世代微影設備技術。 事實上，台積電本周宣布與飛利浦、意法半導體策略聯盟，統合三方資源印入 90 奈米製程，並共同發展 65 奈米及更新世代製程技術，主要就是希望借重歐洲研究機構及設備廠商的經驗，加快製程的移動腳步。 台積電邏輯技術處協理孫元成表示，90 及 65 奈米製程合作案將結合台積電 R&D 中心、飛利浦實驗室部門、IMEC、CEA/LETI及法國電訊研發中心成國，以加速 90 奈米製程技術的開發及量產時程，預計 65 奈米的產出時程，比 90 奈米晚兩年。 茂德營業處長林育中表示，透過離軸照明 (OAI) 等光學輔助儀器，消去第一階秩波的破壞性干涉，及光罩上的光學臨界校正(OPC)，可改善微影設備的效能，提升製程應用。 以 OAI 為例，對於波長 248 奈米（約 0.25 微米）的深紫外線步進機（DUV），如以傳統照明約是 0.18 微米，但以 OAI 的方式照明，其解像率可以推至 0.15 微米。 也就是說，透過 OAI、OPC 等光學輔助設備，可增強微影機台的解像率，目前 DRAM 廠最先進的製程，才剛剛進入 193 微影設備的領域，即足以使製程提升至 0.09 微米，因此，157 奈米微影設備的物性限制，至少要到 0.07 微米以下製程，才會碰上。