東芝、三星快閃記憶體（Flash）缺貨，英飛凌、美光、海力士與力晶等新製造者產品看俏，力晶替瑞薩代工生產的4Gb產品已通過認證，若能銜接這一波的缺貨風潮，可望成為最大贏家。 模組廠指出，去年10月海力士1Gb產品就已經登台，當時一度造成快閃記憶體價格崩盤，1Gb價格由11美元跌到8美元以下，但最近三星與東芝供貨不順，海力士已經通過認證的產品開始搶手，將是這一波最快取得市場的玩家。 英飛凌也積極向2Gb以上產品發展，預計今年第一季將可大量供貨，尤其英飛凌研發出新的快閃記憶體設計方法，最大容量可以發展到32Gb，記憶體單元小達20奈米，近年即可導入量產。 美光剛量產出貨的2Gb快閃記憶體是採取90奈米的先進製程生產，該公司並規劃持續朝向以73奈米與58奈米作為快閃記憶體的升級製程，鎖定快閃記憶體卡、USB設備、高容量儲存設備以及行動應用市場。 力晶估計今年快閃記憶體投片量，將占該公司12吋晶圓廠的15%，目前為瑞薩半導體代工的1Gb快閃記憶體已經量產，月投片量估計超過1,000片，預計今年將以90奈米製程量產4Gb產品，以力晶目前在動態隨機存取記憶體（DRAM）現貨市場的市場占有率，預估對快閃記憶體現貨市場也將帶來重大變化。