英特爾近期宣布以自行開發的儲存技術，跨足資料儲存（Data）型快閃記憶體市場，將衝擊南韓三星、日本東芝寡占的NAND型Flash市場。 英特爾日前在矽谷舉行的技術論壇中透露，已開始生產記憶體卡用快閃記憶體晶片。 快閃記憶體大廠三星和東芝等展開備戰，英特爾不排除採取積極的價格策略，將衝擊全球NAND型快閃記憶體產業。 英特爾原是全球最大的NOR型快閃記憶體供應商，勢力橫掃手機和各種手提嵌入式設備，與超微和富士通合資廠Spansion並列全球前二大NOR快閃記憶體供應商，並為諾基亞等手機大廠的多層記憶體模組（MCP）供應商。 不過，英特爾近來發現NOR型Flash市場應用漸受NAND型產品侵蝕，英特爾決定發展資料存取型記憶體技術，準備反守為攻。 事實上，快閃記憶體可分為NAND型及NOR型兩種，其中NOR型主要是程式更換功能，用於手機及主機板上；NAND 型則偏重可攜式資料存取，廣泛應用於數位相機、MP3及多媒體手機等產品，近年來逐漸成為主流。 據了解，英特爾的快閃記憶體製程轉進90奈米之後，快閃記憶體容量擴大，英特爾打算在既有的NOR型快閃記憶體裡，運用部分空間整合Data功能，以類似超微的「鏡向技術」，與三星和東芝等共爭消費性產品用快閃記憶體市場大餅。 英特爾正研究多種不同的Data快閃記憶體技術，英特爾尚未證實採取何種技術，英特爾下半年將推出Sibley快閃記憶體晶片，提高每個記憶體單元中存儲資料，存取速度更快。Sibley採用90奈米製程，英特爾目前的快閃記憶體則以0.11微米為主，明年推出1G容量的Sibley產品。 英特爾此舉意味著向三星等記憶體大廠宣戰，過去英特爾固守NOR型快閃記憶體市場，由於MP3和相片等儲存需求提升，英特爾跨進記憶體卡用快閃記憶體市場；英特爾也不忘在手機快閃記憶體市場取得50%市占率，雙管齊下。