DRAM現貨市場熱翻天，集邦科技（DRAMeX-change）昨（6）日晚盤最新現貨報價顯示，512Mb DDRII有效測試（eTT）顆粒報價突破6美元的天價，512Mb DDRI有效測試報價也站穩6美元關卡，隨報價一路飆漲，DRAM廠第三季營運多頭走勢也更加確立。 根據集邦科技報價，512Mb DDRII有效測試顆粒均價達6.14美元，創下新天價，帶動512Mb DDRII 667MHz顆粒均價也達6.12美元的新高價位。累計近一周來，512Mb DDRII有效測試顆粒漲幅逾8%，與上月相較，漲幅超過四成。 本土DRAM廠8月營收已陸續反應近期市況火熱的正面效果，包括力晶（5346）、南科（2408）、茂德（5387）等，均寫下歷史單月新高營收紀錄；華亞科（3474）在產能已達滿載，產出增加有限下，也寫下歷史次高佳績。 業者均對今年DRAM市場趨勢相當樂觀，估計8月單月毛利率都在35%以上，隨價格一路走揚，未來幾個月營運將延續高檔氣勢。法人認為，如果價格走揚態勢未歇，DRAM廠第四季業績獲利，甚至可望與台積電（2330）相媲美。DRAM市況延燒，市調機構iSuppli昨發表最新報告指出，拜返校需求刺激PC銷售、庫存水準降低之賜，DRAM現貨價已於8月攀高，預期9月上旬現貨價將延續此一上揚趨勢。iSuppli順勢將全球DRAM市況評等由「中立」調高至「正面」。 iSuppli指出，全球8月初DRAM庫存平均為1.92周，低於7月的2.35周，並創下2005年1月以來新低。DRAM業者也證實，目前DRAM市場供給只能用「非常緊」來形容，庫存端已拉警報。 南科便指出，第三季PC市場可望呈現15%至16%的成長，下半年可望較上半年成長三成左右，PC端狀況復甦之餘，每台單機搭載的DRAM容量，也將由第三季的平均850Mb左右提升至1Gb以上；PC端成長，單位搭載容量又提升，DRAM供給又未增加，自然造成供給上的缺口，南科目前庫存水位已降至十天以下，遠低於安全庫存的兩星期。 隨現貨價一路狂飆，將帶動9月合約價同步呈現5%至10%的急漲態勢，預估DRAM景氣旺勢可延續到明年第一季。