由力晶（5346）、南科（2408）、茂德（5387）、華邦（2344）和工研院組成的PCM（相變化記憶體）聯盟，一年來研發出千位元級的雛形產品，並提出26項專利申請中，大幅超越原本的目標。PCM聯盟預估，明年可望產出百萬位元級的PCM技術成果。 台灣記憶體產值在2004年超越美國，占全球記憶體市場約20%，僅次於韓國，成為第二大DRAM供應國。然而，根據Gartner的預估，DRAM在全球記憶體比重正持續下降，將自2005年的54%減至2010年的47%。反之，NAND Flash將自2005年的15%攀升到2010年的30%，顯示市場對非揮發性記憶體技術殷切需求。 專家學者普遍認為，Flash在進入32奈米製程以下，將有技術上的瓶頸，會限制其容量的發展。而在眾多下世代非揮發性記憶體中，速度快、高容量密度、低耗能的PCM，含括綜合性的優點，最具取代當前的DRAM與Flash的優勢。 力晶、南科、茂德、華邦和工研院合組的PCM研發聯盟，成為市場的開路先鋒。韓國三星、美國英特爾、歐洲意法半導體等公司，都已在PCM耕耘多年，也有不少階段性的成果。 PCM聯盟表示，台灣若能在技術上迎頭趕上，加上台灣業界優異的商品化能力與紮實的DRAM市場行銷網絡，PCM聯盟要藉所研發的PCM技術與產品，在非揮發性記憶體攻城掠地，逐步分食2008 年超過百億元、2012年成長逾千億元的市場，再創一個世界第一，應非難事。 工研院副院長兼電光所所長徐爵民表示，去年7月12日，力晶、南科、茂德、華邦與工研院簽約，預計以三年的時間，聯合研發新世代百萬位元級相變化記憶體（PCM）技術與產品。 一年來，聯盟團隊密切合作，研發腳步快過預定時程，已提出26項專利申請。