【新竹訊】國內四大記憶體製造廠商力晶、南亞、茂德、華邦，和工研院組成相變化記憶體(PCM,Phase Change Memo-ry）聯盟，一年來，研發成果豐碩，明年可望產出百萬位元級的PCM產品技術。 工研院副院長兼電光所所長徐爵民表示，去年7月12日，在時任經濟部長的何美玥與該院院長李鍾熙的見證下，力晶、南亞、茂德、華邦與工研院簽約，預計以三年的時間，聯合研發新世代百萬位元級PCM技術與產品。 徐爵民指出，一年來，聯盟團隊密切合作，研發腳步快過預定時程。今年已通過專利申請案26案，重置電流（reset current）與重置脈波（reset pulse）分別達到0.5毫安培與50奈秒，使國內PCM技術與全球主要研究團隊技術並駕齊驅。 隨著數位行動生活時代來臨，電子資訊產品的運算速度與記憶體容量需求日增。和CPU一樣居於大腦地位的記憶體，需具備高密度、大容量、速度快等條件，才足以匹配產品發展趨勢。根據Gartner預估，DRAM在全球記憶體比重正持續下降，將自2005年的54％減至2010年的47％，反之，NAND FLASH將自2005年的15％攀升到2010年的30％，顯示市場對非揮發性記憶體技術的殷切需求。 然而，專家學者亦普遍認為，Flash在進入32奈米製程以下，將有技術上的瓶頸，會限制容量的發展。而在眾多下世代非揮發性記憶體中，速度快、高容量密度、低耗能的PCM，最具取代當前的DRAM與FLASH的優勢。國內記憶體大廠因應這項變化，有必要為未來的競爭環境預做準備，強化本身的競爭優勢。 PCM研發聯盟無異是競逐市場的開路先鋒。