力晶昨（1）日宣布，與日商瑞薩（Renesas）簽訂4Gb AG-AND快閃記憶體的技術移轉和產銷合作協議，最快第三季起開始挹注營收。力晶也宣布，全年資本支出將由原600億元調高至700億元，以滿足快閃記憶體新增產能需求，成為國內今年資本支出最龐大的DRAM業者。 此外，力晶在DRAM本業營運也有好消息。力晶發言人譚仲民表示，力晶標準型DRAM已全數轉至12吋廠生產，目前超過70%以上投片量都採90奈米製程，產出部分已超過五成比重，良率逾八成以上，DDRII配置已在40至50%左右。由於每單位晶圓面積可增加40%產出，業界估計力晶第三季DRAM成本，會比年初降低兩成。 力晶今年元月與瑞薩簽署1Gb AG-AND快閃記憶體合作計畫，由瑞薩提供技術、力晶代工。譚仲民表示，由於1Gb產品已非主流，雙方決定合作延伸至主流的4Gb規格，力晶可全力投入高容量快閃記憶體市場，進入主流規格代工廠商行列，瑞薩則獲得力晶12吋晶圓廠產能支援，雙方互蒙其利。 譚仲民指出，力晶為瑞薩代工的1Gb AG-AND快閃記憶體，目前每月投片量約5,000 片，簽訂新合約後，瑞薩在力晶AG-AND快閃記憶體代工產能，每月將倍增至1萬片以上。力晶股價昨上漲0.7元，收22.5元。 譚仲民說，力由於新產品對產能需求迫切，力晶將加快將購買旺宏的12M廠導入量產，預估第三季起同步投片，初期每月規模約1萬片，年底增加至2萬片以上，比原來預估增加約五成，未來12M廠將專攻快閃記憶體製造。 因此，力晶計劃將全年資本支出，由600億元調高至700 億元。譚仲民表示，今年規劃藉由發行ECB、GDR及銀行聯貸等三種方式籌資。其中先辦銀行聯貸，可能在下半年初，但金額尚未決定。 力晶今年已上修兩次資本支出計畫，是目前擴產最積極的本土DRAM業者。