力晶半導體（5346）董事長黃崇仁昨天表示，國際大廠對標準型DRAM的增產不如預期，加上現階段12吋及8吋代工產能奇缺，從供需兩面分析，第三季DRAM需求值得期待。 但集邦科技報價指出，256M DDR400昨天下跌1.28%，均價跌破5美元，收在4.9美元；256M DDR333則下挫1.52%，均價4.76美元；這是DRAM自上周三上漲以來，第一次回挫。 國際市調機構Gartner分析師高登（Richard Gordon）預測，今年DRAM平均價格在4到5美元間，DRAM價格維持高檔的主因是，國際大廠紛紛將產能轉往NAND型快閃記憶體（Flash）、利基型記憶體及感測元件（CIS），造成供給緊縮。 高登說，全球DRAM廠轉進12吋廠的速度不如預期，加上0.11微米及90奈米製程良率門檻拉高，造成擴產不順，DDRII的產能比重配置也受到影響。 Gartner昨天公布最新資料指出，今年消費性電子、PC、網通三大領域需求全面復甦，全球半導體市場規模將達2,210億美元，較去年大幅成長24.9%，其中DRAM成長達49%，表現最亮眼。 模組廠商表示，昨天DRAM價格走軟主要是歐美客戶放假的關係，6月儘管是淡季，但價格不會巨幅下挫，至於7月開始的第三季行情，因為雅典奧運及企業換機需求，相當值得期待。 受到DRAM第三季看漲，以及南韓海力士（Hynix）出售邏輯晶圓廠給花旗集團，力晶、南科（2408）及茂德（5387）全面上漲，力晶收在29.4元，上漲0.7元表現最佳。