國內外DRAM大廠轉進0.11微米製程良率偏低，近期瑕疵品倒往現貨市場，256M DDR昨 (21)日跌破4.5美元，下挫1.7%;另外，6月下旬DRAM合約價下跌6%，報價貼近現貨價達4.6美元。 DRAM業界最近紛紛喊話，看多下半年景氣需求。力晶半導體 (5346)董事長黃崇仁認為，第三季DRAM市場需求將回升，預料旺季即將來臨。英飛凌前記憶體執行長愛格斯也認為，下半年DRAM報價不看淡。 通路商認為，7月上旬現貨價可望在4美元獲支撐，不過要拉高到5美元以上，仍需要強勁買盤支持。 根據集邦科技資訊，6月下旬DRAM合約價下挫4%到6%之間，256M DDR模組在40美元左右; 現貨價下跌1.7%，256M DDR400低點跌破4.5美元，均價在4.61美元。 茂德 (5387)資深處長林育中表示，6月下旬合約市場需求強勁，價格下滑主要是反應成本，預計7月上旬價格就會回穩。 昨天市場傳出，國內DRAM廠因為0.11微米製程良率不佳，部分產能從合約客戶倒往現貨市場，導致現貨價下跌。不過，沒有國內廠商願意對號入座。 南科 (2408)副總經理白培霖指出，南科目前合約客戶出貨約達七成，出貨狀況相當正常，0.11微米製程僅占8吋廠總產出約兩成，華亞12吋廠月產出也僅3,000片，並無多餘產能增加現貨市場的出貨。 除DRAM價格持續下跌，NAND型快閃記憶體 (Flash)報價也創下今年新低，1G Flash現貨價跌到13.7美元，今年初以來跌幅超過55%，令許多DRAM廠商轉進Flash領域的腳步放緩。 從光明面分析，今年DRAM平均價約在4到5美元，其中國際大廠紛紛將產能轉往NAND型快閃記憶體 (Flash)、利基型記憶體及感測元件 (CIS)，造成供給緊縮，因此下半年DRAM價格不看壞。