512Mb DDR2 跌破5美元
2007/01/17
DRAM記憶體市場第一季淡季效應發酵,集邦科技(DRAMeX-chang)昨日最新報價顯示,512Mb DDR2有效測試顆粒(eTT)單日價格暴跌7.09%,報價跌破5美元價位,創去年8月以來新低。 市場憂心,價格走跌意味需求轉弱,恐影響往後合約價走勢。 去年DRAM市場因晶片製造商高階製程轉換,供給面一時出現缺口,512Mb DDR2有效測試顆粒均價自去年8月站穩5美元價位後,DRAM廠業績也隨之水漲船高,包括:力晶(5346)、茂德(5387)、華亞科(3474)等毛利率都站上五成水準,去年第四季業者業績更創下歷史新高。 DRAM業者原本預期,在Vista效應帶動下,今年第一季傳統淡季狀況將有所改觀。 不過,集邦昨天的最新報價,512Mb DDR2有效測試顆粒均價下跌幅度逾7%,創下近來單日最大跌幅,報價為4.8美元,5美元關卡失守,也與同規格的一般現貨價價差,拉大到至1美元以上。 累計一周來512Mb DDR2有效測試顆粒報價已下跌11.11%。在有效測試顆粒領跌,擴大與現貨及合約價差下,市場擔心往後DRAM合約價走勢恐同步拉回修正,以縮小價差。 集邦指出,DDR2現貨價格下跌壓力逐漸增加,加上微軟家用版Vista要到本月底才推出,推出前後PC市場觀望氣氛濃厚使得現貨市場需求形成空窗期。隨著價格走勢露疲態,DRAM族群昨天股價走勢顢頇,收盤漲跌互見,茂德、南科逆勢收黑,力晶、華亞科則力守平盤之上。
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