繼上周傳出日本東芝公司將興建一座快閃記憶體廠後日本朝日新聞社11日報導，為了對抗三星電子（Samsung）在快閃記憶體方面的優勢，東芝將再建另一座快閃記憶體廠。這項消息反映，快閃記憶體晶片大廠的產能競爭正日益加劇。 朝日新聞報導說，東芝將耗資數千億日圓興建第二座快閃記憶體廠，預定在2009年3月底止的會計年度開工。 東芝是全球第二大NAND快閃記憶體製造商，僅次於三星電子；若以微晶片整體來看，東芝在全球排名第四。NAND快閃記憶體廣泛用於數位相機、數位隨身聽等消費電子裝置，例如熱銷的蘋果iPod nano音樂播放機。 日本經濟新聞6日報導說，東芝將和美商新帝公司（San-disk）合資5,000億日圓（42.3億美元），在日本西部的四日市建廠生產快閃記憶體，最快2007年投產。 在6日的媒體報導後，東芝表示，由於需求成長，東芝需要提高NAND產能，因此將繼續對NAND快閃記憶體投資生產，但還沒有決定是否再建新廠。 對朝日新聞11日的報導，東芝也尚未正式回應。東芝占有全球NAND市場的19%，三星則50.4%。 朝日新聞報導說，由於四日市在興建新廠後空地有限，第二座廠房可能將建在九州大分縣，或者本州東北的岩手縣。 市調業者iSuppli公司預估，NAND快閃記憶體的銷售量到2009年將擴增140%，達到261億美元。強勁的成長前景使包括英特爾公司在內的晶片大廠，在最近幾個月來紛紛加緊投資，引發一波擴增產能的競爭。 各廠紛紛增產預料將使快閃記憶體晶片價格下跌，部分業者預期，今年跌幅可能高達三成。 東芝在3月31日止的本會計年度中，半導體類的資本投資將達2,890億日圓。 不過，東芝大舉投資的作法使股東擔心東芝可能發行新股籌資，因而稀釋每股價值。東芝是僅次於日立的日本第二大電子集團，上個月才以54億美元買下英國核燃料公司旗下的西屋電氣核電廠子公司。