動態隨機存取記憶體（DRAM）現貨價高點昨（3）日碰觸4.7美元，超越合約價格，出現「黃金交叉」走勢;有效測試（eTT）DRAM昨天上漲5%，國內DRAM廠將直接受惠。 通路商表示，大陸春節備料買盤湧現，eTT DRAM昨天出現強勢補漲，力晶（5346）推出的256M DDR報價從上周3.5美元，拉高到3.7美元，由於供應商存貨不多，預計本周交易將轉熱。 英特爾支援LGA775 P4處理器的915系列晶片組價格較高，近期轉而推出平價版915PL及915GL晶片組，規格僅支援現行DDR，造成三星、美光及英飛凌等DDRII供應商面臨雙重壓力，短期呈現DDR 400短缺，而DDRII過剩現象。 事實上，三星及爾必達去年第四季以來，約四成產能投入DDRII 生產，美光、華亞及英飛凌也調撥兩成以上產能投片DDRII產品，礙於後段產能不足，256MB模組報價仍高達50美元，難以成為主流; 反觀256MB DDR400模組價格降至34美元，加上英特爾主推僅支援DDR的平價版晶片組，使得溢價達50%的DDRII難以抗衡。 此外，三星持續看好今年手機採用Flash記憶卡的比重，預計兩成高階手機將配備32MB到64MB的MMC記憶卡，後年更將提升到1GB 容量，激勵三星轉移DRAM產能，全力拉高Flash產出及市占率。 力晶表示，該公司今年12吋一廠將全產能生產，二廠也將於上半年將產能裝設到1.5萬片，年底則達3萬片，預計全年產出12吋晶圓達60萬片，換算256M DDR達6億顆，較今年成長逾六成。此外，力晶1G Flash及代工產能也會持續開出，預計營收上看1,000 億元，比去年的580億元成長70%。 南科受惠於華亞12吋廠量產，預計今年產出256M DDR當量可達5 億顆，年增率逾100%。華亞今年底月產能將接近6萬片，成為全球最大的單一12吋晶圓廠，由於設備及製程都是最先進的，成本較美光、海力士低50%以上。