日本東芝計畫斥資17億美元興建12吋晶圓廠，將用於生產快閃記憶體 (Flash)，挑戰三星與英特爾的市場占有率。分析師估計，明年全球快閃記憶體產能可能倍增，除非第三代行動電話 (3G)市場大好，否則快閃記憶體行情仍不看好。 東芝在淡出個人電腦 (PC)用的標準型動態隨機存取記憶體(DRAM)市場後，原本已經不打算再自建晶圓廠，但為了與三星將近50%的儲存用快閃記憶體市場競爭，計畫要在日本興建一座12吋晶圓廠，也對國內的相關廠商造成衝擊。 升級到12吋晶圓廠後，國內記憶體廠商多數希望將8吋晶圓廠轉型為利基型記憶體的代工，包括南科 (2408)、力晶 (5346)與茂德 (5378)都有類似的計畫。茂德認為，記憶體代工走的是嵌入式記憶體與系統單晶片 (SOC)市場，與東芝要做的NAND快閃記憶體市場不盡相同，受到衝擊的層面較小。 至於在旺宏的部分，旺宏正由NOR產品要進入到NAND市場，相對受的影響會比較大。該公司四季產能利用率達65%，隨著64M快閃記憶體出貨增加，第三季的出貨量已達65萬科，整體出貨密度從第二季的9Mb增至11.2Mb，目前也加緊腳步要以0.13微米的先進製程生產高階快閃記憶體。 分析師則指出，根據記憶體研究報告資料預測，今年全球NOR的快閃記憶體產出量約7,621兆位元組 (Tb)，明年將會成長到13,632Tb，NAND的快閃記憶體則將由今年的4,403Tb，增加到7,600Tb，全球快閃記憶體產能仍試過剩局面，特定產品或許有機會漲價，但整個產業仍有待進一步的整合。