美國半導體設計公司ATMOS昨 (10)日宣佈與台積電共同開發、生產嵌入式記憶體 (embedded DRAM)，率先採用台積電的Nexsys技術平台，以90奈米 (nm)製程發展系統單晶片記憶體(SoC-RAM)。 ATMOS指出，SoC-RAM主要是用在新世代行動電話手機的整合晶片上，採用台積電的互補金屬氧化半導體 (CMOS)製程，包括0.15微米、0.13微米以及最先進的90nm製程。 台積電行銷副總胡正大指出，在90nm技術製程上，設計廠商需要更多認證過的矽智財 (sIP)以滿足SoC的需求。他說，台積電與ATMOS在Nexsys計畫上的合作，可以透過ATMOS的CMOS嵌入式記憶體以及SoC-RAM技術，讓設計廠商達到產品快速上市的需求。 ATMOS也表示，採用ATMOS的SoC-RAM技術，手機等可攜式產品的記憶體容量可高達128M，預計今年第四季將可由台積電提供90nm的技術製程服務。