記憶體市況谷底反彈，三星、海力士（Hynix）、爾必達（Elpida）、美光（Micron）等國際大廠單季陸續轉盈，產業多頭行情啟動，台灣的南科、華亞科、力晶營運同步轉揚，蓄勢待發。 除上游晶片廠營運步入佳境，後段封測業者也沾光，力成、福懋科等接單能見度大增，同步走俏。 DRAM價格已開始反應市場正向發展氣氛，根據集邦科技（DRAM eXchange）報價，主流規格1Gb DDR2有效測試顆粒（eTT）價格本季雖然一度跌破2美元，但近期再度掀起漲勢，挑戰2.5美元價位。 12月下旬合約價持平開出，1Gb DDR2與DDR3均價各為2.38及2.25美元，相較往年同期價格回檔走勢，表現不俗。 投信法人指出，隨國際記憶體晶片大廠單季營運陸續轉盈，透露市況正式走出谷底。就台灣業者來看，瑞晶、華亞科、力晶等業者也可望跟上大廠腳步，陸續繳出單季獲利成績單。 由於明年全球市場供給增加有限，各大廠都對市場前景樂觀看待。海力士執行長金鐘甲日前預期，明年全球PC市場可望成長10%，但記憶體供給無法跟上PC成長幅度，供給吃緊。 國內DRAM廠對前景展望同步樂觀，力晶與轉投資瑞晶都已邁入單月轉盈階段；南科、華亞科雖然仍不願對賺錢與否鬆口，但也都正面看待明年市場趨勢。 南科透露，近期受限客戶端年底作帳，交易轉為清淡，但以整季來看，本季營運應會比第三季理想。明年元月過後，隨寒假返校等需求，可望再帶動一波小行情，且DDR3取代DDR2的趨勢也會愈來愈明顯。 記憶體模組廠也對明年市場充滿期待，業界龍頭金士頓（Kingston）認為，中國農曆年備貨潮相當不錯，明年DRAM市場在沒有新增產能開出下，伴隨整體經濟面復甦，需求增溫，價格趨勢可望趨於穩定，甚至可能出現小幅缺貨。 創見指出，明年DRAM市場展望仍佳，多數上游晶片廠都可望獲利，明年在景氣好轉與新產品布局發酵下，公司營收可望展現強勁成長力道。 集邦科技分析近期DRAM價格走勢，11、12月短缺情形稍微獲得舒緩，但若電腦系統廠在明年第二季傳統淡季提早拉高庫存，將可望帶動淡季價格下跌幅度縮小，下半年傳統旺季，更可能引爆缺貨潮。